0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Αριθμός εξαρτήματος | TK40A10N1,S4X | Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 52738 pcs | Φύλλο δεδομένων | TK40A10N1,S4X.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-220SIS |
| Σειρά | U-MOSVIII-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 35W (Tc) | Συσκευασία | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-220-3 Full Pack | Αλλα ονόματα | TK40A10N1,S4X(S TK40A10N1,S4X-ND TK40A10N1S4X |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) | τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 50V | Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| FET Τύπος | N-Channel | FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V | Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100V |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 100V 40A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| UPS | www.UPS.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| TNT | www.TNT.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
