Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.

Close
Συνδεθείτε Κανω ΕΓΓΡΑΦΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ:Info@Ocean-Components.com
0 Item(s)

Η Toshiba εγκαινιάζει δύο MOSFET ισχύος 80V N-καναλιών

Οι συσκευές λέγεται ότι είναι κατάλληλες για εφαρμογές ισχύος όπου η λειτουργία χαμηλής απώλειας είναι σημαντική, συμπεριλαμβανομένης της μετατροπής ac-dc και dc-dc σε κέντρα δεδομένων και σταθμούς βάσης επικοινωνίας καθώς και εξοπλισμό κίνησης κινητήρα. mosfets

Τόσο το TPH2R408QM όσο και το TPN19008QM εμφανίζουν μείωση περίπου 40% στην αντίσταση στην πηγή αποστράγγισης (RDS (ON)) σε σύγκριση με τα αντίστοιχα προϊόντα 80V σε προηγούμενες διεργασίες όπως U-MOSVIII-H, υποστηρίζει η Toshiba.

Το TPN19008QM έχει τιμή RDS (ON) 19mΩ (μέγιστο) ενώ η τιμή TPH2R408QM είναι 2,43mΩ.


Η εταιρεία αναφέρει ότι έχει βελτιστοποιήσει τη δομή της συσκευής, βελτιώνοντας την αντιστοίχιση μεταξύ των χαρακτηριστικών RDS (ON) και της φόρτισης της πύλης έως και 15% και της αντιστάθμισης μεταξύ RDS (ON) και της χρέωσης εξόδου κατά 31%.

Τα MOSFETS στεγάζονται σε πακέτα επιφανείας και έχουν ονομαστική τάση 80V.

Λειτουργούν σε θερμοκρασίες καναλιών έως 175ºC.

Το TPN19008QM βαθμολογείται για ρεύμα αποστράγγισης 34Α και στεγάζεται σε πακέτο TSON 3,3x3,3mm, ενώ το TPH2R408QM έχει ονομαστική ισχύ 120Α και στεγάζεται σε συσκευασία SOP 5x6mm.