0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Αριθμός εξαρτήματος | SSM6K202FE,LF | Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6 | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 298372 pcs | Φύλλο δεδομένων | 1.SSM6K202FE,LF.pdf2.SSM6K202FE,LF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±12V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | ES6 (1.6x1.6) |
| Σειρά | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 1.5A, 4V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 500mW (Ta) | Συσκευασία | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση | SOT-563, SOT-666 | Αλλα ονόματα | SSM6K202FE(TE85LFCT SSM6K202FE(TE85LFCT-ND SSM6K202FE,LFCT SSM6K202FE,LFCT-ND SSM6K202FELF SSM6K202FELFCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) | τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V | FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - | Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30V | Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 30V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| UPS | www.UPS.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| TNT | www.TNT.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
