0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Αριθμός εξαρτήματος | SSM6J216FE,LF | Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 341070 pcs | Φύλλο δεδομένων | SSM6J216FE,LF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | ES6 |
| Σειρά | U-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 700mW (Ta) | Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση | SOT-563, SOT-666 | Αλλα ονόματα | SSM6J216FE,LF(A SSM6J216FELF SSM6J216FELF(A SSM6J216FELF-ND SSM6J216FELFTR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C | τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 12V | Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 12.7nC @ 4.5V |
| FET Τύπος | P-Channel | FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 12V |
| Λεπτομερής περιγραφή | P-Channel 12V 4.8A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount ES6 | Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| UPS | www.UPS.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| TNT | www.TNT.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
