0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Αριθμός εξαρτήματος | SSM3J56MFV,L3F | Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 780229 pcs | Φύλλο δεδομένων | SSM3J56MFV,L3F.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | Vgs (Max) | ±8V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | VESM |
| Σειρά | U-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 150mW (Ta) | Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση | SOT-723 | Αλλα ονόματα | SSM3J56MFV,L3F(B SSM3J56MFV,L3F(T SSM3J56MFVL3F(TTR SSM3J56MFVL3F(TTR-ND SSM3J56MFVL3FT SSM3J56MFVL3FTR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) | τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 10V | FET Τύπος | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - | Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 20V | Λεπτομερής περιγραφή | P-Channel 20V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 800mA (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| UPS | www.UPS.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| TNT | www.TNT.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
