0 Item(s)
0 Item(s)
Central Semiconductor
| Αριθμός εξαρτήματος | CDM22010-650 SL | Κατασκευαστής | Central Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | MOSFET N-CH 10A 650V TO220 | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 64260 pcs | Φύλλο δεδομένων | CDM22010-650 SL.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | 30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-220 |
| Σειρά | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2W (Ta), 156W (Tc) | Συσκευασία | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-220-3 | Αλλα ονόματα | CDM22010-650 SL PBFREE CDM22010-650 SL-ND CDM22010-650SL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) | τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) | Κατασκευαστής Standard Lead Time | 12 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1168pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 20nC @ 10V | FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - | Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 650V | Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 650V 10A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| UPS | www.UPS.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| TNT | www.TNT.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
