0 Item(s)
0 Item(s)
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Αριθμός εξαρτήματος | NTD5867NL-1G | Κατασκευαστής | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 4656 pcs | Φύλλο δεδομένων | NTD5867NL-1G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | I-PAK |
| Σειρά | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 10A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 36W (Tc) | Συσκευασία | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Αλλα ονόματα | NTD5867NL-1G-ND NTD5867NL-1GOS NTD5867NL1G |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) | τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 675pF @ 25V | Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| FET Τύπος | N-Channel | FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60V |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 60V 20A (Tc) 36W (Tc) Through Hole I-PAK | Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| UPS | www.UPS.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| TNT | www.TNT.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
