0 Item(s)
0 Item(s)
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Αριθμός εξαρτήματος | FDB86360-F085 | Κατασκευαστής | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 23450 pcs | Φύλλο δεδομένων | FDB86360-F085.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263AB) |
| Σειρά | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 80A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 333W (Tc) | Συσκευασία | Original-Reel® |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Αλλα ονόματα | FDB86360-F085DKR FDB86360_F085DKR FDB86360_F085DKR-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) | τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) | Κατασκευαστής Standard Lead Time | 33 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 14600pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 253nC @ 10V | FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - | Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 80V | Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 80V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| UPS | www.UPS.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| TNT | www.TNT.com | Από $ 35.00 βασική αποστολή αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
