SiC Ανορθωτές

Οι γρήγορες δομικές μονάδες Schottky από καρβίδιο του πυριτίου της STMicroelectronics

Η μεταγλώττιση των δίοδοι Schottky από καρβίδιο του πυριτίου STMicroelectronics επιτρέπει στους σχεδιαστές να φτάσουν σε υψηλότερο επίπεδο απόδοσης και πυκνότητας ισχύος. Η κάλυψη των ονομαστικών τιμών ρεύματος από 2 A έως 40 A περιλαμβάνει τις οικογένειες διόδων 650 V και 1200 V SiC των βιομηχανικών συσκευών AEC-Q101 που είναι εξειδικευμένες τόσο σε βιομηχανικές όσο και σε αυτοκινητοβιομηχανίες, σε DPAK HV (υψηλής τάσης) και D²PAK, οπές TO-220AC και TO-247LL (μακράς διάρκειας) πακέτα.

Η σειρά ST των 1200 V δίοδοι πυριτίου-καρβιδίου (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) ανταποκρίνεται στις ανάγκες των σχεδιαστών για ανώτερη απόδοση, χαμηλό βάρος, μικρό μέγεθος και βελτιωμένα θερμικά χαρακτηριστικά για εφαρμογές προσανατολισμένες στην απόδοση.

Προσφέροντας εξαιρετική τάση προς τα εμπρός (χαμηλή V_φά) και την προηγμένη τεχνολογία αντοχής, οι δίοδοι 1200 V SiC της ST προσφέρουν επιπλέον ελευθερία για υψηλή απόδοση και αξιοπιστία με χαμηλότερη τιμή ρεύματος και συνεπώς χαμηλότερο κόστος μειώνοντας παράλληλα τη θερμοκρασία λειτουργίας και αυξάνοντας τη διάρκεια ζωής της εφαρμογής. Εξασφαλίζουν την τέλεια εφαρμογή σε κάθε μετατροπέα και μετατροπέα διακοπτών, όπου απαιτούνται εξαιρετική πυκνότητα ισχύος και αποδοτικότητα, όπως SMPS, UPS, ηλιακός και κινητήρας.

Η κάλυψη των ονομαστικών τιμών ρεύματος από 2 A έως 40 A περιλαμβάνει την οικογένεια διόδων 1200 V SiC της ST που περιλαμβάνει εξάρτημα AEC-Q101 με εξειδίκευση σε βιομηχανικές και αυτοκινητοβιομηχανίες στην επιφάνεια DPAK HV (υψηλής τάσης) και D²PAK ή μέσω οπών TO -220AC και TO-247LL (μακράς διάρκειας) πακέτα.

Το ST 1200 V SiC επιτρέπει την επίτευξη υψηλών προδιαγραφών και μικρού μεγέθους συντελεστή.